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FDC6321C
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
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|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.190 | CNY20.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
| 50+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 100+ | CNY2.730 (CNY3.0849) |
| 500+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 1500+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6321C
库存编号
复卷9844848RL
切割卷带9844848
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道680mA
连续漏极电流 Id P沟道460mA
漏源通态电阻N沟道0.45ohm
漏源导通电阻P沟道1.1ohm
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道900mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
460mA
漏源导通电阻P沟道
1.1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
680mA
漏源通态电阻N沟道
0.45ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000113