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FDC6305N
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.160 | CNY20.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 50+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
| 100+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
| 500+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 1500+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6305N
库存编号
复卷9844805RL
切割卷带9844805
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道2.7A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.08ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDC6305N 是一款双N沟道低阈值MOSFET, 采用高级PowerTrench® 工艺制造。该器件最大程度地降低导通状态电阻, 并保持低栅极电荷, 提供出色的开关性能。适用于负载开关, DC-DC转换器和电动机驱动应用。
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 占位空间小
- 薄型
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.7A
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000163