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FCP20N60.
场效应管, N沟道, MOSFET, 600V, 20A, TO-220
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 250+ | CNY27.870 (CNY31.4931) |
| 500+ | CNY27.660 (CNY31.2558) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCP20N60.复制
库存编号1779200
技术数据表
漏源接通状态电阻0.19ohm
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散208W
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
技术规格
漏源接通状态电阻
0.19ohm
阈值栅源电压最大值
5V
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
晶体管安装
Through Hole
功率耗散
208W
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041