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ECH8690-TL-H

双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI ECH8690-TL-H 双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号ECH8690-TL-H复制
    库存编号
    复卷2845400RL
    切割卷带2845400
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型互补N与P沟道
    漏源电压Vds N沟道60V
    漏源电压Vds P沟道60V
    连续漏极电流 Id N沟道4.7A
    连续漏极电流 Id P沟道4.7A
    漏源通态电阻N沟道0.042ohm
    漏源导通电阻P沟道0.042ohm
    晶体管封装类型ECH
    针脚数8引脚
    耗散功率N沟道1.5W
    耗散功率P沟道1.5W
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    互补N与P沟道

    漏源电压Vds P沟道

    60V

    连续漏极电流 Id P沟道

    4.7A

    漏源导通电阻P沟道

    0.042ohm

    针脚数

    8引脚

    耗散功率P沟道

    1.5W

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    漏源电压Vds N沟道

    60V

    连续漏极电流 Id N沟道

    4.7A

    漏源通态电阻N沟道

    0.042ohm

    晶体管封装类型

    ECH

    耗散功率N沟道

    1.5W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000454