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DTC114EET1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.733 | CNY3.66 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.733 (CNY0.8283) |
| 50+ | CNY0.596 (CNY0.6735) |
| 100+ | CNY0.458 (CNY0.5175) |
| 500+ | CNY0.291 (CNY0.3288) |
| 1500+ | CNY0.286 (CNY0.3232) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号DTC114EET1G
库存编号
复卷2101802RL
切割卷带2101802
技术数据表
数字晶体管极性单路NPN
晶体管极性单个NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型SOT-416
射频晶体管封装SOT-416
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散300mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值35hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DTC114EET1G 是一款NPN数字晶体管, 带偏置电阻器阵列, 设计用于替代单器件及外部电阻器偏置阵列。偏置电阻晶体管包含一个晶体管, 带偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上, 消除单独组件。
- 简化电路设计
- 减少电路板占用空间
- 减少组件数量
技术规格
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SOT-416
引脚数
3引脚
功率耗散
300mW
直流电流增益, Hfe 最小值
35hFE
合规
-
湿气敏感性等级
-
晶体管极性
单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-416
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
DTC114EET1G 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361