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BUB323ZT4G
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY28.260 | CNY28.26 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY28.260 (CNY31.9338) |
| 10+ | CNY18.970 (CNY21.4361) |
| 100+ | CNY13.950 (CNY15.7635) |
| 500+ | CNY10.900 (CNY12.317) |
| 1000+ | CNY10.690 (CNY12.0797) |
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产品概述
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
150W
射频晶体管封装
TO-263 (D2PAK)
直流电流增益, hFE
500hFE
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
集电极发射电压, Vceo
350V
集电极直流电流
10A
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001911