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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BD13916S
库存编号2453335
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流1.5A
功率耗散1.25W
晶体管封装类型TO-126
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (19-Jan-2021)
BD13916S 的替代之选
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产品概述
The BD13916S is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.
- -55 to 150°C Operating temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1.5A
晶体管封装类型
TO-126
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
1.25W
晶体管安装
通孔
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (19-Jan-2021)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000761

