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BC847CDW1T1G
双极晶体管阵列, 通用, 双NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.839 | CNY4.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.839 (CNY0.9481) |
| 50+ | CNY0.679 (CNY0.7673) |
| 100+ | CNY0.519 (CNY0.5865) |
| 500+ | CNY0.329 (CNY0.3718) |
| 1500+ | CNY0.323 (CNY0.365) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC847CDW1T1G
库存编号
复卷2464066RL
切割卷带2464066
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN45V
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流NPN100mA
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN380mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN270hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN100MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BC847CDW1T1G is a dual NPN general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- AECQ101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率NPN
380mW
直流电流增益hFE最小值NPN
270hFE
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
100MHz
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536