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2N7002LT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY1.130 | CNY1.13 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 50+ | CNY0.913 (CNY1.0317) |
| 100+ | CNY0.696 (CNY0.7865) |
| 500+ | CNY0.449 (CNY0.5074) |
| 1500+ | CNY0.441 (CNY0.4983) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.377 (CNY0.426) |
| 9000+ | CNY0.370 (CNY0.4181) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002LT1G复制
库存编号
整卷2440761
复卷9558624RL
切割卷带9558624
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续115mA
漏源接通状态电阻7.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
2N7002LT1G是一款60V N沟道小信号MOSFET, 功耗为300mW, 连续漏极电流为115mA.
- 无卤素/无BFR
- ±20VDC栅-源电压
- 60VDC漏极至栅极电压
- 417°C/W热阻, 结至环境
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
7.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454