打印页面
2N7002DW.
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-363
15,337 有货
需要更多？
15337 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.390 (CNY3.8307) |
| 10+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
| 100+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY16.95 (CNY19.15 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002DW.
库存编号1704730
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道115mA
连续漏极电流 Id P沟道115mA
漏源通态电阻N沟道1.6ohm
漏源导通电阻P沟道1.6ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道200mW
工作温度最高值150°C
产品范围Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
115mA
漏源导通电阻P沟道
1.6ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
200mW
产品范围
Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
115mA
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
技术文档 (1)
2N7002DW. 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003629