打印页面
NCP5111DR2G
双路驱动器芯片, 半桥, 10V-20V电源, 500mA输出, 100ns延迟, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
3,076 有货
需要更多？
3,076 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.550 | CNY8.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.550 (CNY9.6615) |
| 10+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
| 50+ | CNY5.270 (CNY5.9551) |
| 100+ | CNY4.940 (CNY5.5822) |
| 250+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
| 500+ | CNY4.510 (CNY5.0963) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The NCP5111DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to ensure a proper drive of the high-side power switch.
- High and low drive outputs
- Up to VCC swing on input pins
- Extended allowable negative bridge pin voltage swing to -10V for signal propagation
- Matched propagation delays between both channels
- 1 input with internal fixed dead time (650ns)
- Under VCC lockout (UVLO) for both channels
- Pin-to-Pin-compatible with industry standards
- Up to 600V high voltage range
- ±50V/ns dV/dt Immunity
- 250/500mA Output source/sink current capability
- 3.3 and 5V Input logic compatible
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
250mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
750ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
500mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
100ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001