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FQB19N20LTM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 21 A, 0.14 ohm, TO-263AB, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.420 | CNY20.42 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.420 (CNY23.0746) |
| 10+ | CNY13.180 (CNY14.8934) |
| 100+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 500+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
| 1000+ | CNY6.110 (CNY6.9043) |
| 5000+ | CNY5.990 (CNY6.7687) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQB19N20LTM复制
库存编号
复卷2453431RL
切割卷带2453431
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续21A
漏源接通状态电阻0.14ohm
晶体管封装类型TO-263AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散3.13W
针脚数2引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FQB19N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 31nC typical low gate charge
- 30pF typical low Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
21A
晶体管封装类型
TO-263AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.13W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
2引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001312