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FDC6333C..
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.290 | CNY21.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.290 (CNY4.8477) |
| 50+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 100+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 500+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 9000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
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产品概述
The FDC6333C is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- Small footprint
- Low profile
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2.5A
漏源导通电阻P沟道
0.095ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
漏源通态电阻N沟道
0.095ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002