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PSMN1R4-40YLDX
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY17.140 | CNY17.14 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.140 (CNY19.3682) |
| 10+ | CNY10.980 (CNY12.4074) |
| 50+ | CNY9.210 (CNY10.4073) |
| 200+ | CNY7.440 (CNY8.4072) |
| 500+ | CNY5.920 (CNY6.6896) |
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产品概述
PSMN1R4-40YLD是一款采用先进的TrenchMOS®超级结技术的N沟道增强模式逻辑电平栅极驱动MOSFET。它是为高性能的功率开关应用而设计和认证的。
- NextPower-S3技术提供具有软恢复功能的超快开关
- 低QRR、QG和QGD，用于高系统效率和低EMI设计
- 肖特基加体二极管，提供软开关，没有相关的高IDSS漏电。
- 利用NextPower-S3超级结技术，针对4.5V栅极驱动进行了优化
- 高可靠性LFPAK封装，铜夹，焊接芯片，合格温度为175℃
- 暴露在外的引线可以进行波峰焊，视觉焊点检查和高质量的焊点
- 低寄生电感和电阻
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
238W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1120µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PSMN1R4-40YLDX 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000157