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PMXB120EPEZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DFN1010D, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.540 | CNY32.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.540 (CNY7.3902) |
| 10+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 100+ | CNY2.570 (CNY2.9041) |
| 500+ | CNY1.990 (CNY2.2487) |
| 1000+ | CNY1.570 (CNY1.7741) |
| 5000+ | CNY0.981 (CNY1.1085) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMXB120EPEZ
库存编号
复卷2498582RL
切割卷带2498582
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2.4A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型DFN1010D
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散400mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PMXB120EPE is a P-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in high-side load switch and charging switch for portable devices, power management in battery driven portables, LED driver and DC-to-DC converter applications.
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- 1kV ESD protection HBM
- 100mΩ Drain-source ON-state resistance RDS (ON)
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.4A
晶体管封装类型
DFN1010D
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006