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PMV280ENEAR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.500 | CNY22.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
| 50+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 100+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 500+ | CNY1.230 (CNY1.3899) |
| 1500+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.786 (CNY0.8882) |
| 9000+ | CNY0.595 (CNY0.6724) |
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产品概述
PMV280ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Logic level compatible, AEC-Q101 qualified
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM (class H2)
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Gate-source threshold voltage is 1.7V typ at ID = 250µA; VDS=VGS; Tj = 25°C
- Drain leakage current is 1µA max at VDS = 100V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 285mohm typ at VGS = 10V; ID = 1.1A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.8V typ at IS = 1A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Gate resistance is 1.8ohm typ at f = 1MHz
- Ambient temperature range from -55°C to +175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.1A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
580mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.285ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PMV280ENEAR 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002