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PMV164ENEAR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.760 | CNY28.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 50+ | CNY3.650 (CNY4.1245) |
| 100+ | CNY2.520 (CNY2.8476) |
| 500+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 1500+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
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产品概述
PMV164ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic-level compatible
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM (class H2)
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 1.6A max at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 6.5A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Total power dissipation is 640mW max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
640mW
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.218ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PMV164ENEAR 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002