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PMDXB590UPEZ
双路场效应管, MOSFET, 双P通道, 20 V, 570 mA
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.860 | CNY24.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.860 (CNY5.4918) |
| 10+ | CNY3.100 (CNY3.503) |
| 100+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 500+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 1000+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
| 5000+ | CNY0.862 (CNY0.9741) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDXB590UPEZ
库存编号
复卷4245897RL
切割卷带4245897
产品范围TrenchMOS Series
技术数据表
通道类型双P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道570mA
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.77ohm
晶体管封装类型DFN1010B
针脚数6引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchMOS Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
570mA
漏源导通电阻P沟道
0.77ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
TrenchMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
DFN1010B
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013