打印页面
PMDPB80XP,115
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A
可订购
制造商标准交货时间：64 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.460 (CNY7.2998) |
| 10+ | CNY5.150 (CNY5.8195) |
| 100+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
| 500+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 1000+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 5000+ | CNY1.440 (CNY1.6272) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
CNY32.30 (CNY36.50 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDPB80XP,115复制
库存编号2191807
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.7A
连续漏极电流 Id P沟道3.7A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.102ohm
晶体管封装类型SOT-1118
针脚数8引脚
耗散功率N沟道485mW
耗散功率P沟道485mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.7A
漏源导通电阻P沟道
0.102ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
485mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.7A
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOT-1118
耗散功率N沟道
485mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007