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BUK9Y30-75B,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY16.420 (CNY18.5546) |
| 10+ | CNY10.400 (CNY11.752) |
| 100+ | CNY6.850 (CNY7.7405) |
| 500+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 1000+ | CNY5.240 (CNY5.9212) |
| 5000+ | CNY4.640 (CNY5.2432) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9Y30-75B,115
库存编号1769690
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds75V
电流, Id 连续34A
漏源接通状态电阻0.028ohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散85W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
BUK9Y30-75B 是一款N沟道增强模式逻辑电平FET, 采用TrenchMOS®技术, 塑料封装。该器件符合AEC-Q101标准, 适用于汽车应用。
- 低导通电阻, 低导通损耗
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
34A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
85W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000896