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| 10+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 100+ | CNY5.650 (CNY6.3845) |
| 500+ | CNY4.460 (CNY5.0398) |
| 1000+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
| 5000+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
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产品概述
BUK9Y30-75B 是一款N沟道增强模式逻辑电平FET, 采用TrenchMOS®技术, 塑料封装。该器件符合AEC-Q101标准, 适用于汽车应用。
- 低导通电阻, 低导通损耗
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
34A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
85W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000896
