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BUK9Y14-80E,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY11.780 (CNY13.3114) |
| 100+ | CNY7.790 (CNY8.8027) |
| 500+ | CNY6.190 (CNY6.9947) |
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| 5000+ | CNY5.390 (CNY6.0907) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9Y14-80E,115
库存编号2319929
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续62A
漏源接通状态电阻0.0113ohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散147W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
BUK9Y14-80E,115 是一款采用 TrenchMOS 技术、采用 LFPAK56（Power SO8）封装的逻辑电平 N 沟道 MOSFET。该产品已根据 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。 典型应用包括 12V、24V 和 48V 汽车系统、电机、灯具和电磁阀控制、变速箱控制以及超高性能功率开关。
- 符合重复雪崩测试标准
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 175°C, 真逻辑电平门VGS (th)额定值大于0.5V
- 在 ID = 250µA；VGS = 0V，Tj=25°C 时，漏极-源极击穿电压为 80V（最小）
- 在 VDS=80V、VGS = 0V、Tj = 25°C 时，漏极漏电流典型值为 0.25µA
- 在 VGS = 5V、ID = 15A、Tj = 25°C 时，漏源导通电阻典型值为 12.2mohm
- 在 ID = 15A、VDS = 64V、VGS = 5V、Tj = 25°C 时，栅极-漏极电荷典型值为 8.7nC
- 典型上升时间为 24.6ns（VDS = 60V，RL = 4ohm；VGS = 5V；RG(ext) = 5Ω；Tj = 25°C）
- 在 VDS = 60V，RL = 4 ohm；VGS = 5V；RG(ext) = 5 ohm；Tj = 25°C 时，下降时间为 24.7ns（典型值）
- 在 IS = 15A；VGS = 0V；Tj = 25°C 时，源极-漏极电压为 0.8V（典型值）
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
62A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
147W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0113ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BUK9Y14-80E,115 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454