打印页面
BUK9K18-40E,115
双路场效应管, MOSFET, N通道
1,500 有货
需要更多？
1,500 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.830 (CNY17.8879) |
| 10+ | CNY9.770 (CNY11.0401) |
| 100+ | CNY6.440 (CNY7.2772) |
| 500+ | CNY5.070 (CNY5.7291) |
| 1000+ | CNY4.540 (CNY5.1302) |
| 5000+ | CNY4.340 (CNY4.9042) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY15.83 (CNY17.89 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9K18-40E,115复制
库存编号2215816
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.0135ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOT-1205
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散38W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
4 Qmin 是一款采用沟槽 MOS 技术的双逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK56D（双电源 SO8）封装。该产品已按照 AEC Q101 标准设计并通过认证，适用于高性能汽车应用。典型应用包括 12V 汽车系统、电机、灯具和电磁阀控制、变速箱控制以及超高性能功率开关。
- 双 MOSFET，符合 Q101 标准
- 符合重复雪崩测试标准
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 175°C, 真逻辑电平门VGS (th)额定值大于0.5V
- 在 ID = 250µA；VGS = 0V，Tj=-55°C 时，漏极-源极击穿电压为 36V（最小）
- 在 VGS = 5V、ID = 10A、Tj = 25°C 时，漏源导通电阻典型值为 17.1mohm
- 在 ID = 10A、VDS = 32V、VGS = 10V、Tj = 25°C 时，栅极-漏极电荷典型值为 3nC
- 典型上升时间为 4.6ns（VDS = 32V，RL = 3.3ohm；VGS = 10V；RG(ext) = 5Ω；Tj = 25°C）
- 在 VDS = 32V，RL = 3.3ohm；VGS = 10V；RG(ext) = 5 ohm；Tj = 25°C 时，下降时间为 9.9ns（典型值）
- 在 IS = 10A；VGS = 0V；Tj = 25°C 时，源极-漏极电压为 0.78V（典型值）
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
SOT-1205
功率耗散
38W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0135ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BUK9K18-40E,115 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000098