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双MOSFET :
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制造商
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阈值栅源电压最大值
=1.7V
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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漏源接通状态电阻
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 漏源接通状态电阻 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 功率耗散 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.680(CNY3.0284) 500+ CNY2.080(CNY2.3504) 1000+ CNY1.850(CNY2.0905) 5000+ CNY1.530(CNY1.7289) | N沟道 | N通道 | 30V | 30V | 30V | 6.7A | - | 0.016ohm | 6.7A | 6.7A | 0.022ohm | 表面安装 | 10V | SOIC | 1.7V | - | 8引脚 | 1.5W | 1.5W | 1.5W | 150°C | ||||||
每个 | 1+ CNY10.520(CNY11.8876) 10+ CNY6.650(CNY7.5145) 100+ CNY4.400(CNY4.972) 500+ CNY3.440(CNY3.8872) 1000+ CNY3.050(CNY3.4465) 更多价格信息... | - | N通道 | - | 40V | - | 30A | 0.0135ohm | - | - | - | - | 表面安装 | 10V | SOT-1205 | 1.7V | 38W | 8引脚 | - | - | - | 175°C | ||||||
