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BUK6D30-40EX
功率场效应管, MOSFET, Trench, N通道, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.040 | CNY35.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.040 (CNY7.9552) |
| 10+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 100+ | CNY2.800 (CNY3.164) |
| 500+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
| 1000+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 5000+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
品項附註
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK6D30-40EX复制
库存编号
复卷3438511RL
切割卷带3438511
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.023ohm
晶体管封装类型DFN2020MD
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散19W
针脚数6引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BUK6D30-40EX 是一款 40V N 沟道沟槽型 MOSFET。它采用沟槽型 MOSFET 技术，封装形式为中功率 DFN2020MD-6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装，属于 N 沟道增强型场效应晶体管（FET）。 典型应用包括继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关以及开关电路。
- 扩展温度范围 Tj = 175°C
- 侧面可润湿，便于光学焊点检测
- 静电放电 (ESD) 保护 <gt/> 2kV HBM（H2 级）
- AEC-Q101认证
- 在 ID = 250µA；VGS = 0V，Tj=25°C 时，漏极-源极击穿电压为 40V（最小）
- 在 ID = 250µA；VDS = VGS；Tj = 25°C 时，栅源阈值电压为 1.6V（典型值）
- 在 VGS = 10V、ID = 6A、Tj = 25°C 时，漏源导通电阻典型值为 23mohm
- 在 VDS = 20V；ID = 5A；VGS = 10 V；Tj = 25°C 时，总栅极电荷为 8nC（典型值）
- 在 IS = 1.6A；VGS = 0V；Tj = 25°C 时，源极-漏极电压为 0.8V（典型值）
- 在 IS = 1.6A；dIS/dt = -100A/µs；VGS = 0V；VDS = 20V；Tj = 25°C 时，反向恢复时间为 11ns（典型值）
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
DFN2020MD
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
19W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.023ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004749