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BST82,215
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.340 | CNY31.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.340 (CNY7.1642) |
| 50+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 100+ | CNY2.660 (CNY3.0058) |
| 500+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 1500+ | CNY1.610 (CNY1.8193) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.160 (CNY1.3108) |
| 9000+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
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产品概述
BST82,215 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, logic level translator.
- Very fast switching, logic level compatible
- Subminiature surface mount package
- Drain-source breakdown voltage is 130V typ at Tj=25°C, ID=10µA; VGS =0V
- Drain-source leakage current is 0.01µA typ at Tj=25°C, VDS=60V; VGS =0V
- Gate-source leakage current is 10nA typ at VGS=±20V; VDS =0V
- Forward transconductance is 350mS min at VDS=5V; ID=175mA
- Source-drain (diode forward) voltage is 1.5V typ at IS=300mA; VGS=0V
- Reverse recovery time is 30ns min at IS=300mA
- SOT23 package
- Operating junction temperature range from -65 to 150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
190mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145