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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
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| 切割卷带 | 1 | CNY6.050 | CNY6.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.050 (CNY6.8365) |
| 50+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 100+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
| 500+ | CNY1.870 (CNY2.1131) |
| 1500+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
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产品概述
The BSH105,215 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in a plastic package using vertical D-MOS technology. Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Low threshold voltage
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.05A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
417mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
570mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
BSH105,215 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000006

