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AO6800
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 3.4 A, 0.06 ohm
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库存编号
复卷4472955RL
切割卷带4472955
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.960 | CNY19.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
| 10+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
| 100+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 500+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 1000+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
| 5000+ | CNY0.914 (CNY1.0328) |
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产品概述
The AO6800 is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for precision and efficiency. With a Manufacturer Part No. AO6800, it offers a voltage rating of 30V, a current capacity of 3.4A, and an impressively low on-resistance of 0.06 ohms. Engineered for reliability and optimal performance, the AO6800 is ideal for applications requiring efficient power management and compact design.
- VDS (V) =30V
- ID =-3.4 A (VGS =10V)
- RDS(ON) <lt/> 60mΩ (VGS =10V)
- RDS(ON) <lt/> 70mΩ (VGS =-4.5V)
- RDS(ON) <lt/> 90mΩ (VGS =-2.5V)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
Multicomp Pro MOSFETs
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.06ohm
晶体管封装类型
SOT-23
耗散功率N沟道
1.15W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
AO6800 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.12