MT41K128M16JT-125:K

MT41K128M16JT-125:K 是一款 DDR3L SDRAM。该 DDR3 SDRAM 采用双倍数据速率架构以实现高速运行。双倍数据速率架构是一种 8n 预取架构，其接口设计旨在每时钟周期在 I/O 引脚传输两个数据字。 对于 DDR3 SDRAM 而言，单次读或写操作实际上由内部 DRAM 核心处的一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输，以及 I/O 引脚处八次相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输组成。 该器件使用 READ 和 WRITE BL8 及 BC4。可启用自动预充电功能，以提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。

• 差分时钟输入 (CK、CK#)，8 个内部存储库
• 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
• 可编程 CAS（读取）延迟 (CL)、可编程发布 CAS 加法延迟 (AL)
• 可编程CAS (WRITE) 延迟(CWL)
• 自刷新温度 (SRT)、自动自刷新 (ASR)
• 写平、多功能寄存器、输出驱动器校准
• 128 Meg x 16 配置
• 时序 – 周期时间：CL = 11 时为 1.25ns（DDR3-1600）
• 96-ball 8mm x 14mm FBGA 封装
• 商业工作温度范围：0°C至+95°C