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LND150K1-G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY3.930 | CNY3.93 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
| 25+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
| 100+ | CNY2.910 (CNY3.2883) |
| 3000+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
品項附註
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产品信息
制造商MICROCHIP
制造商产品编号LND150K1-G
库存编号
复卷2450520RL
切割卷带2450520
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds500V
电流, Id 连续13mA
漏源接通状态电阻1000ohm
晶体管封装类型TO-236AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压0V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The LND150K1-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13mA
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
0V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
1000ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006