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IXTP6N100D2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 1+ | CNY95.400 (CNY107.802) |
| 5+ | CNY76.640 (CNY86.6032) |
| 10+ | CNY57.870 (CNY65.3931) |
| 50+ | CNY54.030 (CNY61.0539) |
| 100+ | CNY50.180 (CNY56.7034) |
| 250+ | CNY49.180 (CNY55.5734) |
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多件: 1
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产品概述
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
300W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
2.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.003205