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IXTP1R6N50D2.
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 1.6A, TO-220E
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY43.630 (CNY49.3019) |
| 10+ | CNY28.640 (CNY32.3632) |
| 100+ | CNY21.020 (CNY23.7526) |
| 500+ | CNY17.600 (CNY19.888) |
| 1000+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTP1R6N50D2.复制
库存编号3949101
技术数据表
通道类型N Channel
电流, Id 连续1.6A
漏源接通状态电阻2.3ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值-
功率耗散100W
产品范围-
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
漏源接通状态电阻
2.3ohm
晶体管安装
Through Hole
功率耗散
100W
合规
-
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
TO-220
阈值栅源电压最大值
-
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002812