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IXTP01N100D.
场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 0.4A, TO-220
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| 10+ | CNY44.020 (CNY49.7426) |
| 100+ | CNY37.470 (CNY42.3411) |
| 500+ | CNY35.790 (CNY40.4427) |
| 1000+ | CNY35.080 (CNY39.6404) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTP01N100D.复制
库存编号3771266
技术数据表
漏源接通状态电阻50ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值4.5V
产品范围-
合规-
技术规格
漏源接通状态电阻
50ohm
晶体管安装
Through Hole
产品范围
-
晶体管封装类型
TO-220
阈值栅源电压最大值
4.5V
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00274