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IXTN600N04T2.
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 600A, SOT-227E
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTN600N04T2.
库存编号3771793
技术数据表
电流, Id 连续600A
漏源电压, Vds40V
漏源接通状态电阻0.0013ohm
晶体管封装类型SOT-227
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
晶体管安装Module
功率耗散940W
工作温度最高值175°C
针脚数4引脚
合规-
产品范围TrenchT2 GigaMOS Series
技术规格
电流, Id 连续
600A
漏源接通状态电阻
0.0013ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
Module
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
晶体管封装类型
SOT-227
阈值栅源电压最大值
3.5V
功率耗散
940W
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchT2 GigaMOS Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.044544