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MOSFET模块 :
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制造商
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功率耗散
=940W
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通道类型
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电流, Id 连续
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漏源电压, Vds
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漏源接通状态电阻
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晶体管封装类型
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Rds(on)测试电压
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阈值栅源电压最大值
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晶体管安装
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工作温度最高值
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 电流, Id 连续 | 漏源电压, Vds | 漏源接通状态电阻 | 晶体管封装类型 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 晶体管安装 | 功率耗散 | 工作温度最高值 | 针脚数 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY301.950(CNY341.2035) 5+ CNY271.610(CNY306.9193) 10+ CNY241.270(CNY272.6351) 50+ CNY239.030(CNY270.1039) 100+ CNY236.780(CNY267.5614) | - | 600A | 40V | 0.0013ohm | SOT-227 | 10V | 3.5V | Module | 940W | 175°C | 4引脚 | TrenchT2 GigaMOS Series | ||||||
每个 | 1+ CNY301.720(CNY340.9436) 5+ CNY269.980(CNY305.0774) 10+ CNY238.230(CNY269.1999) 50+ CNY221.980(CNY250.8374) 100+ CNY205.720(CNY232.4636) | N Channel | 480A | 75V | - | SOT-227 | 10V | 5V | Module | 940W | 175°C | 4引脚 | Trench T2 GigaMOS HiperFET Series | ||||||
