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IXTK40P50P.
场效应管, MOSFET, P沟道, 500V, 40A, TO-264
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| 5+ | CNY194.450 (CNY219.7285) |
| 10+ | CNY172.900 (CNY195.377) |
| 50+ | CNY152.580 (CNY172.4154) |
| 100+ | CNY132.250 (CNY149.4425) |
| 250+ | CNY129.610 (CNY146.4593) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTK40P50P.复制
库存编号3771265
技术数据表
漏源电压, Vds500V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻0.23ohm
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散890W
合规-
技术规格
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.23ohm
阈值栅源电压最大值
4.5V
合规
-
电流, Id 连续
40A
晶体管安装
Through Hole
功率耗散
890W
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.01288