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IXTH50P10
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, 通孔
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|---|---|
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| 5+ | CNY97.880 (CNY110.6044) |
| 10+ | CNY84.670 (CNY95.6771) |
| 50+ | CNY77.550 (CNY87.6315) |
| 100+ | CNY70.430 (CNY79.5859) |
| 250+ | CNY69.030 (CNY78.0039) |
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产品概述
P-channel enhancement mode avalanche rated standard power MOSFET suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment applications.
- Low RDS(ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low package inductance (<lt/> 5nH)- easy to drive and to protect
- Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.055ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536