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IXTA3N120HV
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, 表面安装
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| 10+ | CNY51.540 (CNY58.2402) |
| 50+ | CNY48.610 (CNY54.9293) |
| 100+ | CNY45.680 (CNY51.6184) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTA3N120HV复制
库存编号3930511
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1.2kV
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻4.5ohm
晶体管封装类型TO-263
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散200W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications and pulse circuits applications.
- High voltage power MOSFET
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- High blocking voltage
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1.2kV
漏源接通状态电阻
4.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001