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IXTA32P20T
功率场效应管, MOSFET, P通道, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, 表面安装
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| 5+ | CNY73.790 (CNY83.3827) |
| 10+ | CNY55.820 (CNY63.0766) |
| 50+ | CNY53.000 (CNY59.890) |
| 100+ | CNY50.180 (CNY56.7034) |
| 250+ | CNY49.180 (CNY55.5734) |
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产品概述
P 沟道增强型雪崩额定 TrenchP™ 功率 MOSFET 适合用于高压侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、稳流器和电池充电器应用。
- 扩展 FBSOA
- 快速本征二极管
- 低 RDS(ON) 和 QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
32A
晶体管封装类型
TO-263AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907