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IXTA180N10T.
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 180A, TO-263E
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY61.600 (CNY69.608) |
| 10+ | CNY33.890 (CNY38.2957) |
| 100+ | CNY29.850 (CNY33.7305) |
| 500+ | CNY28.900 (CNY32.657) |
| 1000+ | CNY27.950 (CNY31.5835) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTA180N10T.复制
制造商标准货期12 周
库存编号3949082
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻0.0057ohm
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散480W
工作温度最高值175°C
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
180A
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0057ohm
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
480W
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00196