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IXTA120P065T
功率场效应管, MOSFET, P通道, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY55.770 (CNY63.0201) |
| 50+ | CNY50.390 (CNY56.9407) |
| 100+ | CNY45.010 (CNY50.8613) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTA120P065T复制
库存编号3930510
产品范围TrenchP Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds65V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型TO-263AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散298W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchP Series
合规-
产品概述
P-channel enhancement mode avalanche rated TrenchP™ power MOSFET suitable for use in high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- Extended FBSOA
- Fast intrinsic diode
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
298W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
65V
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchP Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454