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IXFP6N120P.
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 6A, TO-220AB
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|---|---|
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| 10+ | CNY55.670 (CNY62.9071) |
| 50+ | CNY53.850 (CNY60.8505) |
| 100+ | CNY52.020 (CNY58.7826) |
| 250+ | CNY50.980 (CNY57.6074) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFP6N120P.复制
制造商标准货期59 周
库存编号3949058
技术数据表
通道类型N Channel
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻2.75ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装Through Hole
阈值栅源电压最大值5V
工作温度最高值150°C
合规-
技术规格
通道类型
N Channel
漏源接通状态电阻
2.75ohm
晶体管安装
Through Hole
工作温度最高值
150°C
合规
-
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-220AB
阈值栅源电压最大值
5V
产品范围
Polar HiPerFET Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.002794