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IXFH16N120P.
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 16A, TO-247E
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|---|---|
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| 5+ | CNY133.400 (CNY150.742) |
| 10+ | CNY106.520 (CNY120.3676) |
| 50+ | CNY106.480 (CNY120.3224) |
| 100+ | CNY106.440 (CNY120.2772) |
| 250+ | CNY104.320 (CNY117.8816) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFH16N120P.
库存编号3953526
技术数据表
通道类型N Channel
漏源接通状态电阻0.95ohm
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值6.5V
功率耗散660W
工作温度最高值150°C
产品范围Polar HiPerFET Series
技术规格
通道类型
N Channel
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
6.5V
工作温度最高值
150°C
漏源接通状态电阻
0.95ohm
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
660W
产品范围
Polar HiPerFET Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007817