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单MOSFET :
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制造商
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功率耗散
=660W
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晶体管封装类型
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晶体管安装
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Rds(on)测试电压
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阈值栅源电压最大值
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压, Vds | 电流, Id 连续 | 漏源接通状态电阻 | 晶体管封装类型 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 功率耗散 | 针脚数 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY197.110(CNY222.7343) 5+ CNY177.470(CNY200.5411) 10+ CNY157.820(CNY178.3366) 50+ CNY147.130(CNY166.2569) 100+ CNY136.430(CNY154.1659) 更多价格信息... | N Channel | - | - | 0.95ohm | - | Through Hole | 10V | 6.5V | 660W | - | 150°C | Polar HiPerFET Series | ||||||
每个 | 1+ CNY106.750(CNY120.6275) 5+ CNY87.680(CNY99.0784) 10+ CNY71.030(CNY80.2639) | N通道 | 650V | 48A | 0.065ohm | TO-247 | 通孔 | 10V | 5V | 660W | 3引脚 | 150°C | - | ||||||
