打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。

783 有货
需要更多?
783 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY28.330 (CNY32.0129) |
| 10+ | CNY21.710 (CNY24.5323) |
| 25+ | CNY18.060 (CNY20.4078) |
| 50+ | CNY17.570 (CNY19.8541) |
| 100+ | CNY17.070 (CNY19.2891) |
| 250+ | CNY16.840 (CNY19.0292) |
| 500+ | CNY16.760 (CNY18.9388) |
| 1000+ | CNY16.750 (CNY18.9275) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY28.33 (CNY32.01 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
高速低侧超快MOSFET驱动器,特别适用于驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。适用于高效功率MOSFET和IGBT开关、开关模式电源、电机控制、DC-DC转换器以及D类开关放大器。
- 配置为带使能引脚的非反相驱动器
- 9A峰值源极/漏极驱动电流
- 延伸温度范围: -40°C到+125°C
- 逻辑输入可承受高达 5V 的负摆幅
- 上升和下降时间匹配
- 低传播延迟时间
- 10μA 的低供电电流
- 低输出阻抗
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
5引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
9A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
40ns
产品范围
IXD_609系列
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
TO-263 (D2PAK)
输入类型
逻辑器件
灌电流
9A
电源电压最大值
35V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
42ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001
