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IXTT16P60P
场效应管, MOSFET, P沟道, 600V, 16A, TO-268
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产品信息
制造商产品编号IXTT16P60P复制
制造商标准货期49 周
库存编号3771276
产品范围PolarP Series
技术数据表
漏源电压, Vds600V
漏源接通状态电阻0.72ohm
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
晶体管安装Surface Mount
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散460W
针脚数3引脚
产品范围PolarP Series
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
技术规格
漏源电压, Vds
600V
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
漏源接通状态电阻
0.72ohm
晶体管安装
Surface Mount
功率耗散
460W
产品范围
PolarP Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005141