IS43TR85120BL-125KBLI

IS43TR85120BL-125KBLI 是一款 1600MT/s 512Mx8 4Gb DDR3 SDRAM。 内存控制器通过将 MR1 的第 7 位设置为 1 来启动所有 DRAM 的电平调整模式。进入写入电平调整模式时，DQ 引脚处于未定义的驱动模式。在写入电平调整模式期间，仅允许 NOP 或 DESELECT 命令，以及用于退出写入电平调整模式的 MRS 命令。 控制器可在延迟 tWLDQSEN 后将 DQS 拉低并使 DQS# 变高，此时 DRAM 已对这些信号施加片上终端电阻。经过 tDQSL 和 tWLMRD 后，控制器提供单个 DQS、DQS# 沿，DRAM 利用该沿采样由控制器驱动的 CK - CK# 信号。

• 标准电压为 VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 系统频率高达 1066MHz，支持高速数据传输速率
• 8 个内部存储库可并行工作，8n 位预取架构
• 可编程 CAS 延迟，可编程附加延迟：0、CL-1、CL-2
• 基于 tCK 的可编程 CAS 写入延迟 (CWL)，可编程突发长度：4 和 8
• 可编程突发序列：顺序或交错，BL 实时切换
• 自动自刷新 (ASR)、自刷新温度 (SRT)
• 部分阵列自刷新、异步 RESET 引脚、写入电平调整
• 78-ball BGA封装
• 工业级工作温度范围：-40°C ≤ TC ≤ 95°C