IS43TR16640CL-107MBLI

IS43TR16640CL-107MBLI 是一款 1866MT/s 1Gb 64Mx16 DDR3 SDRAM。 内存控制器通过将 MR1 的第 7 位设置为 1 来启动所有 DRAM 的电平调整模式。进入写入电平调整模式时，DQ 引脚处于未定义的驱动模式。在写入电平调整模式期间，仅允许 NOP 或 DESELECT 命令，以及用于退出写入电平调整模式的 MRS 命令。 由于控制器是逐级进行控制的，因此必须通过将 MR1 位 A12 设置为 1 来禁用其他级别的输出。控制器可在延迟 tWLDQSEN 后将 DQS 拉低并使 DQS# 变高，此时 DRAM 已对这些信号施加片上终端电阻。在 tDQSL 和 tWLMRD 之后，控制器会提供一个 DQS、DQS# 沿，DRAM 利用该沿对控制器驱动的 CK - CK# 进行采样。tWLMRD(max) 的时序取决于控制器。

• 标准电压为 VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 高速数据传输速率，系统频率高达 1066cMHz
• 8 个内部存储库可并行工作，8n 位预取架构
• 可编程 CAS 延迟，可编程附加延迟：0、CL-1、CL-2
• 基于 tCK 的可编程 CAS 写入延迟 (CWL)，实时 BL 切换
• 可编程突发序列：顺序或交错，异步 RESET 引脚
• 自动自刷新 (ASR)、自刷新温度 (SRT)、部分阵列自刷新
• OCD（片外驱动器阻抗调整）、动态ODT（片上终端）
• 写入均衡，在 DLL 关闭模式下最高可达 200MHz
• 96 球 BGA 封装，工业级工作温度范围为 -40°C ≤ TC ≤ 95°C