IS43TR16512BL-107MBL

IS43TR16512BL-107MBL 是一款 512M×16、1866MT/s、8Gb DDR3 SDRAM。内存控制器通过将 MR1 的第 7 位设置为 1，来启动所有 DRAM 的写平模式。进入写平模式时，DQ 引脚处于未定义的驱动模式。在写入电平调整模式期间，仅允许执行 NOP 或 DESELECT 命令，以及用于退出写入电平调整模式的 MRS 命令。由于控制器每次仅对一个插槽进行电平调整，因此必须通过将 MR1 的 A12 位设置为 1 来禁用其他插槽的输出。DRAM 在 DQS - DQS# 的上升沿采样 CK - CK# 的状态，并在 tWLO 时序之后异步地在 DQ 总线上提供反馈。在此产品中，所有数据位（"主 DQ 位"），即 x8 配置下的 DQ0~DQ7 或 x16 配置下的 DQ0~DQ15，均提供均衡反馈。

• 标准电压为 VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 系统频率高达 933MHz，支持高速数据传输速率
• 8 个内部存储库可并行工作，8n 位预取架构
• 可编程 CAS 延迟，可编程附加延迟：0、CL-1、CL-2
• 基于 tCK 的可编程 CAS 写入延迟 (CWL)、动态 BL 切换、自动自刷新 (ASR)
• 可编程突发序列：顺序或交错，自刷新温度 (SRT)
• 部分阵列自刷新、异步RESET引脚、写入电平调整
• OCD（片外驱动器阻抗调整）、动态ODT（片上终端）
• 96-ball BGA封装
• 工业级工作温度范围：-40°C ≤ TC ≤ 95°C