打印页面
S76HS512TC0BHB013
闪存，512 Mbit，HYPERBus，200 MHz，FBGA，24引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
54 有货
需要更多？
54 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY243.970 | CNY243.97 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY243.970 (CNY275.6861) |
| 10+ | CNY228.530 (CNY258.2389) |
| 25+ | CNY221.540 (CNY250.3402) |
| 50+ | CNY215.310 (CNY243.3003) |
| 100+ | CNY204.170 (CNY230.7121) |
| 5+ | CNY151.960 (CNY171.7148) |
| 250+ | CNY124.110 (CNY140.2443) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
- SEMPER™ Flash and HYPERRAM™ 2.0 with HYPERBUS™ interface in multi-chip package (MCP)
- 1.8V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ Process technology SEMPER™ flash device technology
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA 8 x 8 x 1.2mm package type, low-halogen package material
- Automotive, AEC-Q100 grade 2, operating temperature range from -40°C to +105°C, 200MHz
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0]), data strobe (DS/RWDS)
- Bidirectional DS/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- Busy to ready transition, RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- User configurable RSTO# LOW period, high-performance, DDR, two data transfers per clock
技术规格
闪存类型
-
记忆配置
-
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
200MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
512Mbit
接口
HyperBus
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
2V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001553