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S76HL512TC0BHB000
闪存，512 Mbit，HYPERBus，166 MHz，FBGA，24引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 10+ | CNY208.920 (CNY236.0796) |
| 25+ | CNY199.630 (CNY225.5819) |
| 50+ | CNY196.170 (CNY221.6721) |
| 100+ | CNY192.250 (CNY217.2425) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S76HL512TC0BHB000
库存编号4125858
也称为SP005728095, S76HL512TC0BHB000
技术数据表
闪存类型-
存储密度512Mbit
记忆配置-
接口HyperBus
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值166MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S76HL512TC0BHB000 is a 512Mb SEMPER™ flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0. A HYPERBUS™ MCP reduces board space and printed circuit board (PCB) signal routing congestion while also maintaining or improving signal integrity over separately packaged memory configurations.
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ process technology SEMPER™ flash device
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA 8 x 8 x 1.2mm package type
- Automotive, AEC-Q100 grade 2 (–40°C to +105°C), 166MHz
- 3.0V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- Data strobe (DS/RWDS), bidirectional DS/mask, up to 200MHz clock rate (400-MBps) at 1.8V VCC
- Output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- High-performance, DDR, two data transfers per clock, up to 166MHz clock rate (333-MBps) at 3.0 V VCC
- User configurable RSTO# LOW period, INT# output to generate external interrupt
技术规格
闪存类型
-
记忆配置
-
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
166MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
512Mbit
接口
HyperBus
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004492